已知SiCl₄沸点为57．6 ℃，能与H₂O强烈反应。1 mol H₂与SiCl₄气体完全反应吸收的热量为120．2 kJ。请回答下列问题：

① 第Ⅰ步制备粗硅的化学反应方程式为                                      ，第Ⅲ步反应的热化学方程式是                                               。

②整个制备纯硅过程必须严格控制无水无氧。SiCl₄在潮湿的空气中因水解而产生白色烟雾，其生成物是           ；H₂还原SiCl₄过程中若混O₂，可能引起的后果是         。

27．（15分）硅单质及其化合物应用范围很广。

（1）制备硅半导体材料必须先得到高纯硅，工业上可以按如下步骤制备纯硅：

Ⅰ．高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ．粗硅与干燥的氯气在450 ℃～500 ℃ 反应制得SiCl₄

Ⅲ． SiCl₄液体经精馏提纯后与过量H₂在1100 ℃～1200 ℃ 反应制得纯硅

26．（14分）下图表示几种无机物之间的转化关系。其中A．B均为黑色粉末，C为无色气体，E是红棕色气体，G是具有漂白性的气体，H的水溶液呈蓝色。

请回答下列问题：

（1）A的化学式是        ，C的电子式是        ，Y 的名称是                    。        

（2）反应①的化学方程式为       

                                 。

（3）实验室测定气体E的相对分子质量时，得到的实验         

值总是比理论值偏大。要准确测定E的相对分子质量， 

最适宜的条件是_________。

a．高温高压      b．低温低压       c．高温低压       d．低温高压

（4）用石墨作电极电解H的水溶液，电解总反应的离子方程式是                。

（5）推测反应③的还原产物可能是          。

    (2)若要使带电粒子能穿越磁场区域而不再返回电场中，磁场的宽度d应满足的条件?

  25．(20分)如图所示，坐标空间中有场强为E的匀强电场和磁感应强度为B的匀强磁场，y轴为两种场的分界面，图中虚线为磁场区域的右边界；现有一个质量为m，电荷量为―q的带电粒子(不计重力)，从电场中坐标位置(―，0)处以初速度v_o沿x轴正方向开始运动，且已知=，试求：   

    (1)粒子第一次通过y轴时的位置?  

24.（18分）．如图，在水平面上有两条平行导电导轨MN、PQ，导轨间距离为，匀强磁场垂直于导轨所在的平面（纸面）向里，磁感应强度的大小为B，两根金属杆1、2摆在导轨上，与导轨垂直，它们的质量和电阻分别为和R₁、R₂，两杆与导轨接触良好，与导轨间的动摩擦因数为，已知：杆1被外力拖动，以恒定的速度沿导轨运动；达到稳定状态时，杆2也以恒定速度沿导轨运动，导轨的电阻可忽略，求此时杆2克服摩擦力做功的功率。