[题目]下列关于分子动理论说法正确的是 .A.半导体器件生产时需要在纯净的半导体材料中掺入其他元素利用了扩散现象B.给车胎打气.打气越多越困难是因为气体分子存在斥力C.当分子力表现为斥力时.分子力和分子势能总是随分子间距离的减小而增大D.当分子力表现为引力时.分子力和分子势能总是随分子间距离的增大而增大E.黄金的摩尔质量为M.阿伏加德罗常数为.质量为m的黄� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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【题目】下列关于分子动理论说法正确的是________。

A.半导体器件生产时需要在纯净的半导体材料中掺入其他元素利用了扩散现象

B.给车胎打气，打气越多越困难是因为气体分子存在斥力

C.当分子力表现为斥力时，分子力和分子势能总是随分子间距离的减小而增大

D.当分子力表现为引力时，分子力和分子势能总是随分子间距离的增大而增大

E.黄金的摩尔质量为M，阿伏加德罗常数为，质量为m的黄金所含有的分子数为

【答案】ACE

【解析】

A．扩散可以在固体中进行，生产半导体器件时需要在纯净的半导体材料中掺入其他元素，这可以在高温条件下利用分子的扩散来完成，选项A正确；

B．打气难是由于气体压强增加的缘故，选项B错误；

C．分子力表现为斥力，随着分子之间距离的减小，分子力增大，分子势能也增大，选项C正确；

D．分子力表现为引力，随着分子之间距离的增大（从开始增大），分子力先增大后减小，分子势能一直增大，选项D错误；

E．摩尔数乘阿伏加德罗常数即为分子数，选项E正确。

故选ACE

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【题目】如图所示，在倾角为θ =30°的斜面上，固定一宽L=0.25 m的平行光滑金属导轨，在导轨上端接入电源和滑动变阻器R。电源电动势E=12 V、内阻r =1 Ω，一质量m =20 g的金属棒ab与两导轨垂直并接触良好。整个装置处于磁感应强度B=0.80 T、方向垂直于斜面向上的匀强磁场中（导轨与金属棒的电阻不计）。g取10 m/s2，要保持金属棒在导轨上静止，求：

（1）金属棒所受到的安培力的大小；

（2）通过金属棒的电流的大小；

（3）滑动变阻器R接入电路中的阻值。

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（1）由于粗心该小组完成表格时漏掉了一部分（见表格），发现后又重做了这部分：将磁铁S极向下从螺线管上方竖直插入过程，发现电流计指针向右偏转（已知电流从右接线柱流入电流计时，其指针向右偏转），则①填________，②填________。

	B原方向	ΔΦ	I感方向（俯视）	B感方向
N极插入	向下	增大	逆时针	向上
S极插入	向上	增大	①	②
N极抽出	向下	减小	顺时针	向下
S极抽出	向上	减小	逆时针	向上

（2）由实验可得磁通量变化ΔΦ、原磁场B原方向、感应电流的磁场B感方向三者之间的关系：________。

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【题目】(8 分)如题10-1 图所示的黑箱中有三只完全相同的电学元件,小明使用多用电表对其进行探测.

(1)在使用多用电表前,发现指针不在左边“0 刻度线处,应先调整题10-2 图中多用电表的 _________(选填“A"、“B"或“C").

(2)在用多用电表的直流电压挡探测黑箱a、b 接点间是否存在电源时,一表笔接a,另一表笔应 _________(选填“短暂“或“持续“)接b,同时观察指针偏转情况.

(3)在判定黑箱中无电源后,将选择开关旋至“×1”挡,调节好多用电表,测量各接点间的阻

值. 测量中发现,每对接点间正反向阻值均相等,测量记录如下表. 两表笔分别接a、b

时,多用电表的示数如题10-2 图所示.

请将记录表补充完整,并在答题卡的黑箱图中画出一种可能的电路.

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A.若仅将磁场方向沿逆时针缓慢转过90°，则逐渐减小

B.若仅将磁场方向沿逆时针缓慢转过90°，则逐渐增大

C.若仅将电流强度I缓慢增大，则逐渐减小

D.若仅将电流强度I缓慢增大，则逐渐增大

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A. 当L<<v0T时，电子从两个不同位置经过y轴，一个在坐标原点处，一个在y轴正方向某处

B. 当L＝v0T时，电子经过y轴某一段区域，这个区域位于y轴正方向上，从原点开始

C. 当L＝v0T时，电子经过y轴时的速度大小不同，但都大于飞入速度v0的值

D. 当L＝v0T时，电子经过y轴时的速度方向恒定，与y轴的夹角为一个定值

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